贺德克压力传感器如果选用的zui大工作压力量程是指静压力的话,传感器在承受动压力时,贺德克压力传感器应选用较大的过压能力,否则冲击压力很容易达到极限耐压,使压力传感器受到破坏。 单晶硅效应包括n型和p型硅压阻效应。选用扩散硅目的在于在设计制造压力传感器时可根据不同温度下硅扩散层的压阻特性选择合适的扩散条件 力求使贺德克hydac压力传感器具有良好的性能。多晶硅在传感器中有广泛的用途,可作为微结构和填充材料、敏感材料。 HDA3844-E-006-000 HDA3844-E-016-000 HDA3844-E-060-000 HDA3844-E-100-000 HDA3844-E-250-000 HDA3844-E-400-000 HDA3844-E-600-000 HDA3845-A-006-000 HDA3845-A-016-000 HDA3845-A-060-000 HDA3845-A-100-000 HDA3845-A-250-000 HDA3845-A-400-000 HDA3845-A-400-031 HDA3845-A-600-000 贺德克压力传感器的压力适用范围是分级的,这是因为压力传感器的弹性膜承受流体压力有一个限度。这就是通常所说的耐压极限,超过此极限弹性膜便破裂了。
当要监视贮槽中温度时,时间常数不那么重要。然而当使用过程中必须测量振动管中的温度时,贺德克压力传感器时间常数就成为选择传感器的决定因素。
珠型热敏电阻和铠装露头型HYDAC压力传感器的时间常数相当小,而浸入式探头,特别是带有保护套管的热电偶,时间常数比较大。 |